TPC8117(TE12L,Q) datasheet
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>> TPC8117(TE12L,Q) MOSFET MOSFET P-Ch 30V 18A datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
TPC8117(TE12L,Q)
库存数量:
可订货
制造商:
Toshiba
描述:
MOSFET MOSFET P-Ch 30V 18A
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET MOSFET P-Ch 30V 18A
TPC8117(TE12L,Q) PDF下载
制造商
Toshiba
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
- 30 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
18 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.0039 Ohms
配置
Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
TPC8117(TE12L,Q)
TPC8117(TE12L,Q,M)
TPC8117(TE12L.Q)
TPC8117(TE12LQ)
TPC8117-H
TPC8117TE12L.Q
供应商
公司名
电话
深圳廊盛科技有限公司
18229386512
李小姐
深圳廊盛科技有限公司
18682365538
严艺浦
深圳市柏新电子科技有限公司
0755-88377780
林小姐//方先生
深圳市百域芯科技有限公司
400-666-5385
林S
深圳市世锐科技有限公司
13724335556
陶巍
昆山开发区美科微电子商行
18951125455
易春花
广州市睿科电子科技有限公司
15975398125
曾小姐/汤小姐
深圳市企诺德电子有限公司
13480313979
胡
TPC8117(TE12L,Q) 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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